Surfscan^®

无图案晶圆缺陷检测系统

Surfscan^®SP7^XP无图案检测系统，识别影响先进储存与逻辑器件性能与可靠性的缺陷和表面品质问题。透过针对工具、制程与材料进行验证与建空，其支援包括用于EUV光子工具的集成电路、原始设备制造商、材料与基板制造。利用DUV雷射与出色的检测模式，Surfscan SP7^XP提供了先进节点研发所需的最佳灵敏度，并具备支援高产量制造的产出率。辅助的检测模式包括相位对比通道 (PCC)与正常照明 (NI)，可检测裸晶圆、光华与粗糙膜层，以及易碎的光刻胶和光刻堆叠得独特缺陷类型。基于图像的缺陷分类 (IBC) 利用了革命性的机器学习算法，加速根本故障原因定位，而Z7^™分类引勤则支援独特的3D NAND与厚膜应用。

Surfscan^® SP Ax

无图案晶圆缺陷检测系统

对于生产用于汽车、物联网、5G、消费电子和工业（军事、航空航天、医疗）等设备的芯片，Surfscan^® SP A2 和 Surfscan^® SP A3 无图案晶圆检测系统可识别影响其性能和可靠性的缺陷及晶圆表面质量问题。这些检测系统通过对设备、工艺和材料进行认证和监控，为制造IC、OEM、材料和衬底提供支持。Surfscan SP Ax 系统采用深紫外（DUV）激光和优化的检测模式，能以其所需的灵敏度协助晶圆厂执行缺陷减少策略。标准的暗场和可选的明场检测模式同时运行，捕获关键的良率缺陷和潜在的可靠性缺陷类型并将其分类。Surfscan SP A2/A3检测仪构建于行业领先的Surfscan平台基础之上，可以处理150 毫米、200 毫米和 300 毫米晶圆，其灵活的配置，可以在兼顾性能和价格要求的同时，满足广泛的应用需求。

eDR7xxx™

电子束晶圆缺陷检视和分类系统

eDR7380™电子束晶圆缺陷检视和晶圆分类系统可以拍摄高分辨率的缺陷图像，从而精确反映晶圆上的缺陷群体状况。eDR7380内置多种电子光学元件和专用的镜头内探测器，对包括脆弱的EUV光刻层、高宽比沟槽层和电压对比层等在内的各个不同的制程步骤提供缺陷可视化支持。独特的Simul-6™技术可以通过一次测试生成完整的DOI（关注缺陷）柱状分部图，从而精确定位缺陷根源并迅速检测制程偏移。通过如宽光谱图案晶圆检测仪上的IAS™和裸片晶圆检测仪上的OptiSens™等连通功能，eDR7380为KLA检测设备提供了独特连接，以便在IC和晶圆制造制程中加速良率改进。

eDR^®是KLA 公司的注册商标。

WaferSight™

裸晶圆几何量测系统

WaferSight™ 2+裸晶圆几何形貌量测系统可为晶圆制造商提供抛光和外延硅晶圆，以及工程和其他先进基板的质量认证。通过生产晶圆平坦度，双面纳米级形貌和高分辨率边缘碾轧数据，WaferSight 2+可生成数据，帮助晶圆制造商确保在批量生产中生产出优质的基板。

MicroSense^® Wafer Series

裸晶片几何量测系统

晶片制造商使用MicroSense^®裸晶片几何量测系统来鉴定各种材料、尺寸和形状的基片。MicroSense 系统使用获得专利的非接触式传感器技术，以高吞吐量进行精确、准确的自动化几何测量。系统生成厚度、弯曲/翘曲和平整度等指标，帮助晶片制造商鉴定和优化其工艺，确保高质量基片的批量生产。

Candela^® 8xxx

复合半导体材料和SiC、GaN基片的先进检测技术

Candela^® 8720复合半导体材料表面检测系统可用于GaN相关材料、GaAs基片和外延过程控制，用于功率器件、通信和射频器件，以及先进的LED和微LED的生产。它利用专有技术来检测和分类亚微米级的限制产量的缺陷，支持生产线监控。Candela^® 8520缺陷检测系统专为SiC和GaN基片的先进表征而设计，该基片通常用于汽车和其他应用中的功率器件。它利用集成的表面散射和光致发光检测技术，能够捕捉各种关键的地形和晶体缺陷，如三角形、胡萝卜缺陷、堆垛故障和基面位错等。Candela 8xxx 系统帮助基片制造商提高质量和良率，优化外延生长工艺。

SensArray^® Automation

原位温度测量自动化系统

SensArray^® Automation系统可快速自动收集工艺设备腔体的温度数据，同时还提供可为新建晶圆厂提供支持的半自动功能。SensArray Automation包括与所有 300mm 无线 SensArray 产品兼容的 AS1000 自动化基站、与天车系统 (OHT) 兼容的 FOUP、系统自动化控制器以及可安装在办公室电脑中的软件。SensArray FOUP 可以同时放置两个独立的 SensArray 产品以实现灵活的晶圆厂部署，并且可以像任何普通生产 FOUP 一样处理，同时还可直接将数据传输到客户的生产系统 (MES)，并生成 SPC 图表。SensArray Automation可提高生产力，从而提高工艺设备的可用时间，更有效地利用工程师资源，并将数据集中存储在工厂的 MES 数据库中。

Smartwafer™

晶圆传送监控器

Smartwafer2™ 可监测并记录晶圆在设备传送路径上的振动和加速度。完成记录流程后，数据会通过外部读取站下载到电脑中。数据会与设备事件序列同步，并与良好的历史数据进行比较。任何异常信号都会显示并精确指向不良的机械组件或对准问题，这些问题会导致晶圆上出现颗粒、缺陷或划痕。该产品使用标准 300mm 硅晶圆，可以与标准工艺晶圆完美匹配，使其能够使用跟工艺圆晶同样的配方来监测晶圆传送过程。电子电路表面涂有硅粘合剂，可保护 Smartwafer2 并使其防水。Automation Loadport 是专为 300mm 自动化晶圆厂设计的，它允许在生产模式下使用 Smartwafer2，就像任何其他常规监控器一样。Automation Loadport 符合所有 SEMI 标准，包括 E84 和 AMHS/OHV 及主机连接所需的其他 SEMI 标准。

EWG Wafer™

晶圆传送监控器

EWG Wafer™ 可测量吸附盘旋转时晶圆的偏心率和晃动，这是进行这些原位测量的唯一方法。目前用于检查这些参数的常用方法需要打开工具腔体和使用机械量规，这是一个非常耗费时间的过程。EWG Wafer 将测量 XY 方向加速度的装置置于晶圆的中心，并将测量 Z 方向加速度的装置置于靠近晶圆边缘的六个点上，从而无需打开工具腔体便可完成测量，并且可以通过兼容的Automation Loadport 实现完全自动化。Automation Loadport 是专为 300mm 自动化晶圆厂设计的，它允许在生产模式下使用 EWG Wafer，就像任何其他常规监控器一样。Automation Loadport 符合所有 SEMI 标准，包括 E84 和 AMHS/OHV 及主机连接所需的其他 SEMI 标准。

RH Wafer™

晶圆传送监控器

RH Wafer™ 可在整个工艺设备中移动，并测量多个位置的湿度。相对湿度传感器和 Smartwafer2™ 型电路安装在 300mm 裸硅晶圆上，该晶圆放置在经过清洗的 SmartFOUP™ 中。SmartFOUP 随后会被放置在工艺工具 N₂清洗装载端口上，并通过测量 FOUP 中的相对湿度来监控 N₂ 清洗的工作情况。RH Wafer和清洗后的 SmartFOUP 与Automation Loadport 和分析软件完全兼容，从而可实现全自动监控。Automation Loadport 专为 300mm 自动化晶圆厂而设计，它允许在生产模式下使用 RH Wafer，就像任何其他常规监控器一样。Automation Loadport 符合所有 SEMI 标准，包括 E84 和 AMHS/OHV 及主机连接所需的其他 SEMI 标准。该分析软件使用统计工艺控制 (SPC) 工具来检测相对湿度的异常或趋势。

Integral Implant i3

原位离子注入晶圆温度（15°C 至 130°C）测量系统

Integral Implant i3 原位晶圆温度测量系统提供 300mm 和 200mm 两种配置，并支持离子注入工艺的晶圆温度监控。Integral Implant i3 无线晶圆可生成高精度的晶圆温度时空数据，从而帮助注入工程师测量和监控影响离子注入剂量和均匀性的温度变化，并改进离子注入工艺鉴定和工具匹配。

Process Probe™ 1530/1535

原位晶圆温度监控系统

Process Probe™ 1530 和 1535 仪表化晶圆可用于监控各种工艺的原位温度，其中包括冷壁、RTP、溅射、CVD、等离子剥离器和外延反应器。Process Probe 1530 和 1535 可在工艺周期的每个关键步骤提供直接、原位的晶圆温度测量结果。借助这些全面的温度数据，工艺工程师便可测量和微调工艺条件，从而提升工艺设备性能、晶圆质量和良率。

Process Probe™ 1630

原位晶圆温度监控系统

Process Probe™ 1630 仪表化晶圆可对前端大气和带式 CVD 系统以及后端晶圆焊料凸点回流焊炉的晶圆温度分布情况进行精确的原位测量。借助 Process Probe 1630，工艺工程师可确定边缘到中心区域的温度分布情况，以便调整加热器区域设定点以及测量沉积温度的漂移值，从而最终调整加热器和传送带上氧化物堆积所造成的传热变化。

Process Probe™ 1730

原位晶圆温度监控系统

Process Probe™ 1730 仪表化晶圆可在光刻胶跟踪系统、温控晶圆卡盘系统、焊炉应用以及抗蚀剂烘烤、聚酰亚胺和 SOG 应用中对晶圆温度分布情况进行精确的原位测量。Process Probe 1730 有助工程师测量和微调工艺条件，从而提高工艺设备性能，并进而提升良率。

Process Probe™ 1840/1850

原位晶圆温度监控系统

Process Probe™ 1840 和 1850 仪表化晶圆可提供高精度、原位加热板温度测量，从而支持光刻胶跟踪系统和晶圆探测器等工艺。Process Probe 1840 和 1850 可直接测量晶圆温度的稳定性和均匀性，而不依赖非精确工艺监控器或接触式温度传感器。借助 Process Probe 1840 和 1850，光刻工程师可测量和微调光刻胶烘烤温度的均匀性，从而确保先进光刻工艺满足实现高良率所需的温度精度。